diffusion impurity中文是什么意思

• 扩散杂质

• "diffusion"中文翻译    n. 1.散布，发散。 2.传播，普及。 3.冗长。 4 ...
• "impurity"中文翻译    n. 〔常用 pl.〕 1.不纯，不洁。 2.下流，不道 ...
• "impurity diffusion" 中文翻译 :    杂质扩散
• "diffusion impurity source" 中文翻译 :    扩散杂质源
• "impurity diffusion coefficient" 中文翻译 :    杂质扩散系数
• "impurity self-diffusion coefficient" 中文翻译 :    杂质自扩散系数
• "impurity" 中文翻译 :    n. 〔常用 pl.〕 1.不纯，不洁。 2.下流，不道德，不贞节，杂质。 impurities in food 食物中的杂质。 political impurities 政治渣滓；牛鬼蛇神。
• "diffusion" 中文翻译 :    n. 1.散布，发散。 2.传播，普及。 3.冗长。 4.【化学】渗滤。 5.【物理学】扩散，漫射。 the diffusion of knowledge 知识的传播。 diffusion of speech 演说的冗长。 diffusion of light 光线的漫射。
• "in diffusion" 中文翻译 :    向内扩散
• "a orption impurity" 中文翻译 :    吸收杂质
• "absorption impurity" 中文翻译 :    吸收杂质; 吸收沾染
• "acceptor impurity" 中文翻译 :    受素不纯物; 受体杂质; 受钟质; 受主杂质
• "accompanying impurity" 中文翻译 :    伴生杂质
• "active impurity" 中文翻译 :    活性杂质
• "amphoteric impurity" 中文翻译 :    两性杂质
• "anode impurity" 中文翻译 :    阳极杂质
• "anodic impurity" 中文翻译 :    阳极杂质
• "applied impurity" 中文翻译 :    羊毛外加杂质
• "atomic impurity" 中文翻译 :    原子型杂质
• "background impurity" 中文翻译 :    本底杂质
• "band impurity" 中文翻译 :    谱带杂质
• "base impurity" 中文翻译 :    基区杂质
• "chemical impurity" 中文翻译 :    化学的不纯物; 化学杂质
• "chief impurity" 中文翻译 :    主要杂质
• "chloride impurity" 中文翻译 :    氯化物杂质

• At the initial stage of planar technique , b was employed as ideal diffusion impurity in base - region of npn si planar devices because of the match of its solid - solubility and diffusion coefficient in si with those of p in emission - region , and the good shield effect of sio2 film to b . but because of the relatively large solubility ( 5 1020 / cm3 at 1000 ) and the small diffusion coefficient , the linear slowly - changed distribution of acceptor b in pn junction can not be formed , which could not cater to the requirement of high - reversal - voltage devics . thereafter b - a1 paste - layer diffusion technology and close - tube ga - diffusion technology had been developed , while the former can lead to relatively large the base - region deviation and abruptly varied region in si , which caused severe decentralization of current amplification parameter , bad thermal stability and high tr ; the latter needed the relatively difficult pack technique , with poor repeatability , high rejection ratio , and poor diffusion quality and productio n efficiency
  在平面工艺初期，由于b在硅中的固溶度、扩散系数与n型发射区的磷相匹配， sio _ 2对其又有良好的掩蔽作用，早被选为npn硅平面器件的理想基区扩散源，但b在硅中的固溶度大( 1000时达到5 10 ~ ( 20 ) ，扩散系数小， b在硅中的杂质分布不易形成pn结中杂质的线性缓变分布，导致器件不能满足高反压的要求，随之又出现了硼铝涂层扩散工艺和闭管扩镓工艺，前者会引起较大的基区偏差，杂质在硅内存在突变区域，导致放大系数分散严重，下降时间t _ f值较高，热稳定性差；后者需要难度较大的真空封管技术，工艺重复性差，报废率高，在扩散质量、生产效率诸方面均不能令人满意。